[发明专利]功率二极管有效
| 申请号： | 201110027941.0 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102623511A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李亮;张帅;崔文兵;韩峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率二极管，该功率二极管采用NPN结构，其中NPN结构的基极和集电极相连接作为功率二极管的阳极，NPN结构的发射极作为功率二极管的阴极；发射极端发射区域下方设有一个阱注入区，阱注入区的导电类型与发射区域相同，且杂质浓度低于发射区域的杂质浓度；基极下方的衬底内设置埋层，埋层的导电类型与所述基极区域相同，且杂质浓度高于基极区域的杂质浓度。本发明的功率二极管，具有低的衬底漏电和较高的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 二极管 | ||
【主权项】：
一种功率二极管，其特征在于：所述功率二极管采用NPN结构，其中所述NPN结构的基极和集电极相连接作为所述功率二极管的阳极，所述NPN结构的发射极作为所述功率二极管的阴极；发射极端发射区域下方设有一个阱注入区，所述阱注入区的导电类型与所述发射区域相同，且杂质浓度低于所述发射区域的杂质浓度；所述基极下方的衬底内设置埋层，所述埋层的导电类型与所述基极区域相同，且杂质浓度高于所述基极区域的杂质浓度。
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