[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201110026738.1 | 申请日: | 2011-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN102157612A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 郭政彰;胡雁程;李欣峯;陈宗保;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,其中采用激光掺杂工艺来形成正型掺杂区与负型掺杂区,以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔,因此,不会有金属接点的阶梯覆盖率不佳的问题。此外,太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极,搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区,以充分利用半导体基板的空间,提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作,因此,有助于提局太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的工艺简单,具有高工艺良率。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一半导体基板,该半导体基板具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面;形成一第一保护层于该半导体基板的该第一表面上;进行一第一激光掺杂工艺,以形成多个第一开孔于该第一保护层内,并且形成多个第一型掺杂区于该些第一开孔对应的该半导体基板中;形成一第一电极于部分该第一保护层上,该第一电极为梳状且具有相互平行的多个分支,该第一电极填入该些第一开孔以连接到该些第一型掺杂区;进行一第二激光掺杂工艺,以形成多个第二开孔于该第一保护层内,并且形成多个第二型掺杂区于该第二开孔对应的该半导体基板中;形成一第二保护层于该第一保护层上,该第二保护层覆盖该第一电极的该些分支;形成一第二电极于该第二保护层上,该第二电极为片状并且覆盖该第一电极的该些分支;以及进行一激光开孔回火工艺,于该第二保护层中形成多个第三开孔,该些第三开孔对应该些第二型掺杂区,该第二电极填入该些第三开孔,以连接到该些第二型掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





