[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110026738.1 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN102157612A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 郭政彰;胡雁程;李欣峯;陈宗保;陈人杰;吴振诚 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/04
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,其中采用激光掺杂工艺来形成正型掺杂区与负型掺杂区,以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔,因此,不会有金属接点的阶梯覆盖率不佳的问题。此外,太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极,搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区,以充分利用半导体基板的空间,提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作,因此,有助于提局太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的工艺简单,具有高工艺良率。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一半导体基板,该半导体基板具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面;形成一第一保护层于该半导体基板的该第一表面上;进行一第一激光掺杂工艺,以形成多个第一开孔于该第一保护层内,并且形成多个第一型掺杂区于该些第一开孔对应的该半导体基板中;形成一第一电极于部分该第一保护层上,该第一电极为梳状且具有相互平行的多个分支,该第一电极填入该些第一开孔以连接到该些第一型掺杂区;进行一第二激光掺杂工艺,以形成多个第二开孔于该第一保护层内,并且形成多个第二型掺杂区于该第二开孔对应的该半导体基板中;形成一第二保护层于该第一保护层上,该第二保护层覆盖该第一电极的该些分支;形成一第二电极于该第二保护层上,该第二电极为片状并且覆盖该第一电极的该些分支;以及进行一激光开孔回火工艺,于该第二保护层中形成多个第三开孔,该些第三开孔对应该些第二型掺杂区,该第二电极填入该些第三开孔,以连接到该些第二型掺杂区。
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