[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面；

形成一第一保护层于该半导体基板的该第一表面上；

进行一第一激光掺杂工艺，以形成多个第一开孔于该第一保护层内，并且形成多个第一型掺杂区于该些第一开孔对应的该半导体基板中；

形成一第一电极于部分该第一保护层上，该第一电极为梳状且具有相互平行的多个分支，该第一电极填入该些第一开孔以连接到该些第一型掺杂区；

进行一第二激光掺杂工艺，以形成多个第二开孔于该第一保护层内，并且形成多个第二型掺杂区于该第二开孔对应的该半导体基板中；

形成一第二保护层于该第一保护层上，该第二保护层覆盖该第一电极的该些分支；

形成一第二电极于该第二保护层上，该第二电极为片状并且覆盖该第一电极的该些分支；以及

进行一激光开孔回火工艺，于该第二保护层中形成多个第三开孔，该些第三开孔对应该些第二型掺杂区，该第二电极填入该些第三开孔，以连接到该些第二型掺杂区。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一激光掺杂工艺包括：

形成一第一型掺质材料层于该第一保护层上，该第一型掺质材料层内具有一第一型掺质；

提供一激光束于该第一型掺质材料层以及该第一保护层上，以形成该些第一开孔并且将该第一型掺质材料层内的该第一型掺质扩散到该半导体基板中，而形成该第一型掺杂区；以及

移除该第一型掺质材料层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二激光掺杂工艺包括：

形成一第二型掺质材料层于该第一保护层上，该第二型掺质材料层内具有一第二型掺质；

提供一激光束于该第二型掺质材料层以及该第一保护层上，以形成该些第二开孔并且将该第二型掺质材料层内的第二型掺质扩散到该半导体基板中，而形成该第二型掺杂区；以及

移除该第二型掺质材料层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该第一电极的方法包括网版印刷工艺。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，更包括在形成该第一电极之后，进行一回火工艺。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，更包括对该半导体基板的该第二表面进行粗糙化处理。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，更包括形成一抗反射层于该半导体基板的该第二表面上。

8.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

一半导体基板，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，在该第一表面的该半导体基板中具有多个第一型掺杂区以及多个第二型掺杂区；

一第一保护层，配置于该半导体基板的该第一表面上，该第一保护层具有多个第一开孔以及多个第二开孔，该些第一开孔对应于该些第一型掺杂区，该些第二开孔对应于该些第二型掺杂区；

一第一电极，配置于该第一保护层上，该第一电极填入该些第一开孔以连接到该些第一型掺杂区，该第一电极为梳状且具有相互平行的多个分支；

一第二保护层，配置于该第一保护层上，该第二保护层覆盖该第一电极的该些分支，且该第二保护层具有多个第三开孔，该些第三开孔对应该些第二型掺杂区；以及

一第二电极，覆盖该第二保护层，该第二电极填入该些第三开孔，以连接到该第二型掺杂区，该第二电极为片状并且覆盖该第一电极的该些分支。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该半导体基板的该第二表面为一粗糙化表面。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，更包括一抗反射层，配置于该半导体基板的该第二表面上。

11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该半导体基板包括一负型轻掺杂半导体基板。

12.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该第一型掺杂区包括一负型重掺杂区。

13.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该第二型掺杂区包括一正型重掺杂区。