[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜的制造方法，包括于基板上形成结晶诱发层，于结晶诱发层上形成第一前驱金属层。第一前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓。然后，透过升温工艺使结晶诱发层与第一前驱金属层硒化为一铜铟镓硒薄膜。本发明的铜铟镓硒薄膜的制造方法主要是通过形成一结晶诱发层以使特定厚度的铜铟镓硒薄膜能够在较短时间下制作完成，且此铜铟镓硒薄膜具有良好的结晶质量。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一结晶诱发层；于该结晶诱发层上形成一第一前驱金属层，该第一前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓；以及通过升温工艺使该结晶诱发层与该第一前驱金属层硒化为一铜铟镓硒薄膜。