[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一结晶诱发层；

于该结晶诱发层上形成一第一前驱金属层，该第一前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓；以及

通过升温工艺使该结晶诱发层与该第一前驱金属层硒化为一铜铟镓硒薄膜。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层通过共蒸镀工艺或溅镀工艺制作。

3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层为一铜铟镓硒结晶诱发层。

4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层为一铜铟镓硒结晶诱发层，形成该结晶诱发层的方法包括：

于该基板上形成一第二前驱金属层，该第二前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓；以及

通过慢速升温硒化工艺使该第二前驱金属层硒化为该结晶诱发层。

5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该铜铟镓硒薄膜的厚度为T，且0.7um≤T≤2.7um。

6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层的厚度为t，该铜铟镓硒薄膜的厚度为T，且T/4≤t≤T/3。

7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层为一铜铟镓硒结晶诱发层，形成该第一前驱金属层的方法包括：

于该结晶诱发层上形成一铜镓合金层；以及

于该铜镓合金层上形成一铟金属层。

8.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层为一铜铟镓硒结晶诱发层，形成该第一前驱金属层的方法包括：

于该结晶诱发层上形成一铟金属层；以及

于该铟金属层上形成一铜镓合金层。

9.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，形成该第一前驱金属层的方法包括于该结晶诱发层上形成一迭层，该迭层由多层铜镓合金层以及多层铟金属层交替堆栈而成。

10.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，形成该第一前驱金属层的方法包括于该结晶诱发层上形成一铜铟镓合金层。

11.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该结晶诱发层的材质包括铟以及硒。

12.一种铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一第一结晶诱发层；

于该第一结晶诱发层上形成一第一前驱金属层，该第一前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓；

于该第一前驱金属层上形成一第二结晶诱发层；

于该第二结晶诱发层上形成一第二前驱金属层，该第二前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓；以及

通过升温工艺使第一结晶诱发层、第一前驱金属层、第二结晶诱发层与该第二前驱金属层硒化为一铜铟镓硒薄膜。

13.根据权利要求12所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该第一结晶诱发层通过共蒸镀工艺或溅镀工艺制作。

14.根据权利要求13所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该第一结晶诱发层为一铜铟镓硒结晶诱发层。

15.根据权利要求12所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该第一结晶诱发层为一第一铜铟镓硒结晶诱发层，形成该第一结晶诱发层的方法包括：

于该基板上形成一第三前驱金属层，该第三前驱金属层的材质包括铜、铟以及镓；以及

通过慢速升温硒化工艺使该第三前驱金属层硒化为该第一结晶诱发层。

16.根据权利要求12所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该铜铟镓硒薄膜的厚度为T，且0.7um≤T≤2.7um。

17.根据权利要求12所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该第一结晶诱发层的厚度为t，该铜铟镓硒薄膜的厚度为T，且T/4≤t≤T/3。

18.根据权利要求12所述的铜铟镓硒薄膜的制造方法，其特征在于，该第二结晶诱发层通过共蒸镀工艺或溅镀工艺制作。