[发明专利]具有使用掩埋金属互连的垂直高端PMOS和垂直低端NMOS的单片输出级、结构和方法

摘要

电压转换器可包括输出电路，其具有可形成在单个管芯(即“功率管芯”)上的垂直高端器件和垂直低端器件。高端器件可以是PMOS晶体管，而低端器件可以是NMOS晶体管。PMOS晶体管的源极和NMOS晶体管的源极可由相同金属结构形成，并且高端器件的源极电连接VIN和低端器件的源极电连接地面。高端PMOS晶体管的漏极可以在器件运行的过程中使用夹置在晶体管和半导体衬底之间的金属层使低端NMOS晶体管的漏极电短路。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体管芯，包括具有N‑型导电性的单个半导体衬底；覆盖在所述单个半导体衬底上的垂直p‑沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，其中所述垂直PMOS晶体管包括有源区；覆盖在所述单个半导体衬底上的垂直n‑沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，其中所述垂直NMOS晶体管包括有源区；所述垂直PMOS晶体管的漏极，其在包括所述垂直PMOS晶体管有源区下的位置处电连接所述N‑型导电衬底；所述垂直NMOS晶体管的漏极，其在包括所述垂直NMOS晶体管有源区下的位置处电连接所述N‑型导电衬底；和导电层，其使所述垂直PMOS晶体管的所述漏极连接所述垂直NMOS晶体管的所述漏极，使得所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管具有共同漏极。