[发明专利]具有巨磁阻抗效应的钙钛矿结构薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110024164.4 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102136343A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王三胜;郭恺 | 申请（专利权）人： | 北京鼎臣超导科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F10/10 | 分类号： | H01F10/10;H01F41/14 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 官汉增 |
| 地址： | 100206 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有巨磁阻抗效应的钙钛矿结构薄膜及其制备方法，属于磁性材料制备技术领域，该薄膜为LaMnOx钙钛矿结构的锰氧化物，其中，3≤x≤4，薄膜厚度为10～400nm。薄膜的制备方法利用含有所需金属离子的有机醇盐化合物作为前驱物，将前驱物溶入超纯水中进行搅拌溶解，得到前驱物溶液；逐滴加入甲醇，直至形成透明的溶胶溶液。将配制的透明的溶胶溶液用涂覆或提拉法涂覆在衬底上，经过在管式恒温炉里进行热解和烧结过程制备出所需要的钙钛矿结构薄膜。本发明制备方法简单，便于操作；所需设备较简单，成本低廉；可以制备面积较大的薄膜；相对其他制备方法可以精确控制金属离子的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁阻 效应 钙钛矿 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有巨磁阻抗效应的钙钛矿结构薄膜，其特征在于：该薄膜为LaMnOx钙钛矿结构的锰氧化物，其中，3≤x≤4，所述的薄膜是一种多晶结构的薄膜材料，薄膜厚度为10～400nm。
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