[发明专利]一种剥离发光二极管衬底的方法有效
| 申请号： | 201110024096.1 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102117869A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;许圣贤;彭康伟;郑建森;吴志强;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种剥离发光二极管衬底的方法，通过对GaN外延层侧面进行腐蚀，形成孔洞型结构，配合外延生长的非填满型图形化蓝宝石衬底，使GaN外延层与蓝宝石衬底分离。本发明可以有效地降低GaN基外延生长中的位错密度，提高晶格质量，且能快速剥离蓝宝石衬底，具有成本低、不会造成GaN薄膜内伤、改善光电器件的性能、提高发光效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剥离 发光二极管 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种剥离发光二极管衬底的方法，包含下列步骤：提供一蓝宝石衬底；在衬底表面上形成呈周期性分布的图形化结构；在图形化蓝宝石衬底上镀一阻挡层，采用研磨工艺使第一阻挡层表面与图形化蓝宝石衬底凸起表面齐平；在图形化蓝宝石衬底上生长GaN外延层，GaN外延层与图形化蓝宝石衬底间存有孔洞结构，其中GaN外延层由N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层组成；通过湿蚀刻，对GaN外延层侧面进行腐蚀，分离GaN外延层与蓝宝石衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110024096.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
