[发明专利]一种剥离发光二极管衬底的方法

权利要求书

1.一种剥离发光二极管衬底的方法，包含下列步骤：

提供一蓝宝石衬底；

在衬底表面上形成呈周期性分布的图形化结构；

在图形化蓝宝石衬底上镀一阻挡层，采用研磨工艺使第一阻挡层表面与图形化蓝宝石衬底凸起表面齐平；

在图形化蓝宝石衬底上生长GaN外延层，GaN外延层与图形化蓝宝石衬底间存有孔洞结构，其中GaN外延层由N-GaN层、量子阱层、P-GaN层组成；

通过湿蚀刻，对GaN外延层侧面进行腐蚀，分离GaN外延层与蓝宝石衬底。

2.根据权利要求1中所述的制作高亮度氮化镓基发光二极管中剥离衬底的方法，还包含下列步骤：

在蓝宝石衬底上形成一过渡层；

通过光罩、蚀刻，形成周期性分布的图形化过渡层；

去除过渡层，在衬底表面上形成呈周期性分布的图形化结构。

3.根据权利要求2中所述的剥离发光二极管衬底的方法，其特征在于所述过渡层选自SiO₂、SiN_X、TiO₂或前述的任意组合之一。

4.根据权利要求1中所述的剥离发光二极管衬底的方法，其特征在于图形化蓝宝石衬底的形状为矩形或多边形。

5.根据权利要求1中所述的剥离发光二极管衬底的方法，其特征在于所述阻挡层选自SiO₂、SiN_X、TiO₂或前述的任意组合之一。

6.根据权利要求1中所述的剥离发光二极管衬底的方法，其特征在于研磨工艺可以选用化学研磨或机械研磨或化学机械研磨。

7.根据权利要求1中所述的剥离发光二极管衬底的方法，其特征在于湿蚀刻采用的蚀刻液选自HF、NH₄F、CH₃COOH、H₂SO₄、H₂O₂或前述的任意组合之一。