[发明专利]一种梳状栅复合源MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110021444.X | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102117833A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 黄芊芊;詹瞻;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种结合肖特基势垒和梳状栅结构的复合源MOS晶体管及其制作方法。该复合源MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个肖特基源区，控制栅的一端向高掺杂源区延展，延展出来的栅区为延展栅，呈梳齿状，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，高掺杂源区由半导体高掺杂形成，位于延展栅的每个梳齿两侧，在肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。本发明与现有的MOSFET相比，在同样的工艺条件，同样的有源区尺寸下可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梳状栅 复合 mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种复合源MOS晶体管，其特征在于，包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个肖特基源区，控制栅的一端向高掺杂源区延展，延展出来的栅区为延展栅，呈梳齿状，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述高掺杂源区由半导体高掺杂形成，位于延展栅的每个梳齿两侧，所述肖特基源区由金属或金属硅化物形成，且在肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结，所述高掺杂漏区由半导体高掺杂形成，且掺杂类型与高掺杂源区相反，位于控制栅未延展的一侧。
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