[发明专利]单元像素、图像传感器、相机和处理器基系统无效
| 申请号: | 201110021282.X | 申请日: | 2011-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN102157534A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 郑泰燮;金范锡;安正卓;李景镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李娜娜 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种单元像素以及包括该单元像素的相机和处理器基系统。单元像素包括光子折射微透镜。单元像素可包括光电二极管、金属层和光子折射微透镜。光子折射微透镜可设置在光电二极管和金属层之间。光子折射微透镜可将由金属层反射的光子朝向光电二极管的中心部分折射。 | ||
| 搜索关键词: | 单元 像素 图像传感器 相机 处理器 系统 | ||
【主权项】:
一种单元像素,所述单元像素包括:光电二极管;导电层,光子折射微透镜,在光电二极管和导电层之间,光子折射微透镜被构造为朝光电二极管的中心区域折射由导电层反射的光子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110021282.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





