[发明专利]单元像素、图像传感器、相机和处理器基系统

权利要求书

1.一种单元像素，所述单元像素包括：

光电二极管；

导电层，

光子折射微透镜，在光电二极管和导电层之间，光子折射微透镜被构造为朝光电二极管的中心区域折射由导电层反射的光子。

2.如权利要求1所述的单元像素，其中，光子折射微透镜的至少一个表面沿导电层的方向凸起。

3.如权利要求2所述的单元像素，其中，光子折射微透镜的凸起区域的最厚部分的厚度为2000至3500

4.如权利要求2所述的单元像素，所述单元像素还包括：

在光子折射微透镜和导电层之间的至少一个平坦化层。

5.如权利要求4所述的单元像素，其中，光子折射微透镜的折射率大于所述至少一个平坦化层的折射率。

6.如权利要求5所述的单元像素，其中，所述至少一个平坦化层包含氧化硅，光子折射微透镜包含氮化硅。

7.一种单元像素，所述单元像素包括：

基底；

光电二极管，在基底上；

光子折射微透镜，在光电二极管上且具有凸起表面；

平坦化层，在光子折射微透镜的凸起表面上；

金属层，在平坦化层上。

8.如权利要求7所述的单元像素，其中，光子折射微透镜的具有凸起表面的区域的最厚部分的厚度为2000至3500

9.如权利要求8所述的单元像素，其中，光子折射微透镜的折射率大于平坦化层的折射率。

10.如权利要求9所述的单元像素，其中，平坦化层包含氧化硅，光子折射微透镜包含氮化硅。

11.一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，所述背照式互补金属氧化物半导体图像传感器包括：

像素阵列，包括多个单元像素，每个单元像素包括光电二极管、导电层和光子折射微透镜，光子折射微透镜被构造为将由导电层反射的光朝光电二极管的中心区域折射；

行解码器；

列解码器。

12.如权利要求11所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其中，光子折射微透镜沿导电层的方向至少部分地凸起。

13.如权利要求12所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其中，光子折射微透镜的凸起区域的最厚部分的厚度为2000至3500

14.如权利要求12所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其中，所述多个单元像素中的至少一个单元像素还包括在光子折射微透镜和导电层之间的至少一个平坦化层。

15.如权利要求14所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其中，光子折射微透镜的折射率大于所述至少一个平坦化层的折射率。

16.如权利要求15所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其中，平坦化层包含氧化硅，光子折射微透镜包含氮化硅。

17.一种相机，所述相机包括如权利要求11所述的互补金属氧化物半导体图像传感器。

18.一种处理器基系统，所述处理器基系统包括：

处理器；

随机存取存储器；

硬盘驱动器；

如权利要求11所述的互补金属氧化物半导体图像传感器；

输入/输出装置。