[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110021186.5 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102347352A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁;柯志欣;吴政宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置及其制造方法是一种具有外延层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一基底，其内形成一沟槽且沟槽下方形成一凹口。凹口的侧壁具有(111)晶面取向(crystal orientation)。沟槽深度为大于或等于凹口侧壁的长度的一半。一外延层形成于凹口及沟槽内。沟槽的深度足以使形成于半导体基底与外延层之间界面的差排(dislocation)终止于沟槽侧壁。在本发明的半导体装置中，较大的凹口侧壁的长度具有较大的沟槽隔离区的厚度，以容许有足够的深度使差排终止于隔离区而非外延材料的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一半导体基底，具有一沟槽及位于该沟槽下方的一倒梯型凹口，该倒梯型凹口的侧壁具有(111)晶面取向，该沟槽的深度与该倒梯型凹口的侧壁的长度比率等于或大于0.5；以及一三五族外延层，形成于该沟槽及该倒梯型凹口内。
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