[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110021186.5 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102347352A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁;柯志欣;吴政宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
一半导体基底，具有一沟槽及位于该沟槽下方的一倒梯型凹口，该倒梯型凹口的侧壁具有(111)晶面取向，该沟槽的深度与该倒梯型凹口的侧壁的长度比率等于或大于0.5；以及
一三五族外延层，形成于该沟槽及该倒梯型凹口内。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体基底包括多个沟槽隔离区，而该沟槽的侧壁包括所述多个沟槽隔离区且该倒梯型凹口延伸于所述多个沟槽隔离区的下方。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体基底具有(111)晶面取向。
4.一种半导体装置，包括：
一半导体基底；
多个第一沟槽，形成于该半导体基底内并填入一第一材料；
一第二沟槽，位于该半导体基底内且形成于所述多个第一沟槽之间；
一凹口，位于该半导体基底内且位于该第二沟槽下方，该凹口的侧壁具有(111)晶面取向，该第二沟槽的深度大于或等于该凹口侧壁的长度的一半；以及
一三五族外延层，形成于该第二沟槽及该凹口内。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该凹口延伸至所述多个第一沟槽下方且该半导体基底具有(111)晶面取向。
6.一种半导体装置制造方法，包括：
提供一基底；
实施一第一蚀刻，以在该基底内形成具有一第一深度的一沟槽；
实施一第二蚀刻，以在该基底内形成一凹口，该第二蚀刻露出该基底的(111)晶面，顺着该基底的(111)晶面的侧壁具有一第二距离，该第一深度为该第二距离的至少一半；以及
在该凹口内外延成长一三五族材料。
7.如权利要求6所述的半导体装置制造方法，还包括在实施该第一蚀刻之前，在该基底内形成多个隔离区且在所述多个隔离区内填入一第一材料，其中该第一蚀刻包括各向同性蚀刻。
8.如权利要求6所述的半导体装置制造方法，还包括在实施该第一蚀刻之前，在该基底内形成多个隔离区且在所述多个隔离区内填入一第一材料，其中所述多个隔离区的厚度大于该第一深度。
9.如权利要求6所述的半导体装置制造方法，其中该基底包括硅块材且具有(001)表面取向。
10.如权利要求6所述的半导体装置制造方法，其中至少使用氢氧化铵或氢氧化四甲基铵来实施该第二蚀刻。
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