[发明专利]III族氮化物半导体的气相生长装置无效
| 申请号： | 201110020688.6 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102140679A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 矶宪司;石滨义康;高木亮平;高桥让 | 申请（专利权）人： | 日本派欧尼株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/12;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以及反应气体排出部，即使在晶体生长于大尺寸、多个基板的表面上的情况下，仍可相对所有角度，以均匀的流量喷射原料气体，可在衬托器的相对面上抑制原料气体的分解、结晶化。衬托器的相对面具有在内部使制冷剂流通的机构，原料气体导入部具有由通过圆板状的分隔部而沿上下方向分隔的结构形成的多个气体喷射口，该气体喷射口中的至少1个具有通过多个柱状的分隔部而沿圆周方向分隔的结构。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 相生 装置 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以及反应气体排出部，其特征在于衬托器的相对面具有使制冷剂在其内部流通的机构，原料气体导入部具有由通过圆板状的分隔部而沿上下方向分隔的结构形成的多个气体喷射口，该气体喷射口中的至少1个具有通过多个柱状的分隔部而沿圆周方向分隔的结构。
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