[发明专利]III族氮化物半导体的气相生长装置

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以及反应气体排出部，其特征在于衬托器的相对面具有使制冷剂在其内部流通的机构，原料气体导入部具有由通过圆板状的分隔部而沿上下方向分隔的结构形成的多个气体喷射口，该气体喷射口中的至少1个具有通过多个柱状的分隔部而沿圆周方向分隔的结构。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的气相生长装置，其特征在于柱状的分隔部至少设置于最接近衬托器的相对面的喷射口。

3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的气相生长装置，其特征在于柱状的分隔部按照在同心的多个圆的圆周上分别设置多个，并且设置于同一圆周上的柱状的分隔部以相同的间隔设置。

4.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的气相生长装置，其特征在于圆板状的分隔部和柱状的分隔部由从金属、合金、金属氧化物、陶瓷，碳系材料中选择的1种以上的材料形成。

5.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的气相生长装置，其特征在于原料气体导入部包括具有氨的气体的喷射口、具有有机金属化合物的气体的喷射口以及载气的喷射口。

6.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的气相生长装置，其特征在于氮化物半导体为从镓、铟以及铝中选择的1种或2种以上的金属与氮的化合物。

7.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体的气相生长装置，其特征在于基板按照晶体生长面朝下的方式被保持。