[发明专利]形成半导体管芯的方法无效
| 申请号： | 201110009912.1 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102157448A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里瓦纳;M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成半导体管芯的方法。在一种实施例中，具有非矩形形状的半导体管芯以及具有各种不同形状的管芯被形成并且被从半导体晶片中切单出。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 管芯 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体管芯的方法，包括以下步骤：提供具有顶表面和底表面的半导体晶片；将多个半导体管芯形成于所述半导体晶片的所述顶表面上，其中所述多个半导体管芯中的两个或更多个管芯具有以下的周边之一：非矩形形状、具有至少一个沿着所述周边的突出部的形状、多连通的形状、具有至少一个曲线部分的形状、非对称的形状、对周边周围的距离的不同值或者不规则的形状，其中所述不规则的形状阻止通过使用在轴向上延伸横越所述半导体晶片的切单线来切单所述不规则的形状；形成切单区作为所述半导体晶片的在所述半导体管芯之间的区域；以及使用干法蚀刻来同时地切单所述多个半导体管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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