[发明专利]一种多通道Nandflash存储系统无效
| 申请号： | 201110009602.X | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102591816A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 迟志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F13/18 | 分类号： | G06F13/18 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 曹立维 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多通道Nandflash存储器系统，系统由微控制器、系统接口控制器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、系统存储器、Nandflash控制器以及Nandflash存储器阵列构成。本系统采用将地址映射表均匀的存放在各个Nandflash存储器中，利用多通道Nandflash系统可并行从Nandflash中读出数据的特性，能够在同样的时间内即可读出数倍大小的地址映射表，从而提高地址映射的速度，进而提高多通道Nandflash存储系统的读写性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 nandflash 存储系统 | ||
【主权项】：
一种多通道Nandflash存储器系统，由微控制器、系统接口控制器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、系统存储器、Nandflash控制器以及Nandflash存储器阵列构成，其特征在于所述Nandflash存储器阵列各存储器内均匀存放地址映射表。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司，未经上海华虹集成电路有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110009602.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：T形10kV全工况全绝缘高压触头盒式电流互感器
- 下一篇：板材熔铸用石墨坩埚
