[发明专利]一种多通道Nandflash存储系统无效
| 申请号: | 201110009602.X | 申请日: | 2011-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN102591816A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 迟志刚 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号: | G06F13/18 | 分类号: | G06F13/18 |
| 代理公司: | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人: | 曹立维 |
| 地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 通道 nandflash 存储系统 | ||
1.一种多通道Nandflash存储器系统,由微控制器、系统接口控制器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、系统存储器、Nandflash控制器以及Nandflash存储器阵列构成,其特征在于所述Nandflash存储器阵列各存储器内均匀存放地址映射表。
2.如权利要求1所述的一种多通道Nandflash存储器系统,其特征在于所述Nandflash存储器阵列中各存储器存放的地址映射表以页为单位。
3.如权利要求1或2所述的一种多通道Nandflash存储器系统,其特征在于系统并行从Nandflash存储器阵列各片Nandflash存储器中读出地址映射表,并存放于系统存储器内。
4.如权利要求1所述的一种多通道Nandflash存储器系统,其特征在于系统存储器内被改写的地址映射表写回Nandflash存储器时,仍写回到之前同一个Nandflash存储器。
5.如权利要求1或4所述的一种多通道Nandflash存储器系统,其特征在于地址映射表写回时Nandflash存储器时,Nandflash控制器控制多个通道同时写回。
6.如权利要求1所述的一种多通道Nandflash存储器系统,其特征在于系统读写操作时,系统存储器中不存在所需的地址映射表时,则从Nandflash存储器读出该地址映射表。
7.如权利要求1所述的一种多通道Nandflash存储器系统,其特征在于与多通道Nandflash存储系统通讯的主控端接口为SATA、USB、PCIE或PATA。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司,未经上海华虹集成电路有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110009602.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:T形10kV全工况全绝缘高压触头盒式电流互感器
- 下一篇:板材熔铸用石墨坩埚





