[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法无效
| 申请号： | 201110008910.0 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102034545A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 复制 操作 纠错 非易失性存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种在存储器系统中将第一位置的源数据转移到第二位置的方法，所述存储器系统包括含有存储单元阵列和缓冲器的非易失性存储器，该方法包括：将存储单元阵列的第一位置的源数据存储到缓冲器中；检测存储在缓冲器中的源数据的位错误；当检测到位错误时校正该位错误；以及在所述校正之后，将校正后的源数据复制到存储单元阵列的第二位置。
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