[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法无效
| 申请号: | 201110008910.0 | 申请日: | 2004-04-05 |
| 公开(公告)号: | CN102034545A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 李真烨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张泓 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 复制 操作 纠错 非易失性存储器 及其 方法 | ||
1.一种在存储器系统中将第一位置的源数据转移到第二位置的方法,所述存储器系统包括含有存储单元阵列和缓冲器的非易失性存储器,该方法包括:
将存储单元阵列的第一位置的源数据存储到缓冲器中;
检测存储在缓冲器中的源数据的位错误;
当检测到位错误时校正该位错误;以及
在所述校正之后,将校正后的源数据复制到存储单元阵列的第二位置。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
当没有检测到位错误时,将存储在缓冲器中的源数据复制到所述第二位置。
3.如权利要求1所述的方法,其中,依序执行所述存储、所述检测、所述校正、和所述复制。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述位错误是累进位错误。
5.如权利要求1所述的方法,其中,所述非易失性存储器是与非闪存。
6.如权利要求5所述的方法,其中,所述与非闪存包括具有多个页的存储单元阵列,其中第一位置和第二位置中的每一个是页。
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