[发明专利]聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110008545.3 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102173155A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘晓林;陈建锋;窦晓亮;栗艳 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | B32B27/18 | 分类号： | B32B27/18;B32B27/30;C08L27/16;C08K3/24;C08J7/04;C08J5/18;H01G4/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 贾玉 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，由多层介电材料层构成，所述多层介电材料层包括：第一聚偏二氟乙烯层；以及复合材料层，所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90～50vol％的聚偏二氟乙烯和10～50vol％的纳米钛酸钡。根据本发明实施例的聚合物基陶瓷复合介电材料具有更高的介电常数、更良好的加工性能。本发明还提供了一种电容器以及聚合物基陶瓷复合介电材料的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 陶瓷 复合 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，由多层介电材料层构成，所述多层介电材料层包括：第一聚偏二氟乙烯层；以及复合材料层，所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90～50vol％的聚偏二氟乙烯和10～50vol％的纳米钛酸钡。
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