[发明专利]聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，由多层介电材料层构成，所述多层介电材料层包括：

第一聚偏二氟乙烯层；以及

复合材料层，所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90～50vol％的聚偏二氟乙烯和10～50vol％的纳米钛酸钡。

2.根据权利要求1所述的聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，所述复合材料层由多层复合材料子层构成，且所述复合材料子层中的纳米钛酸钡的含量从与所述第一聚偏二氟乙烯层相邻一侧向着另一侧逐层增加。

3.根据权利要求2所述的聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，所述第一聚偏二氟乙烯层的厚度为20μm～100μm，各所述复合材料子层的厚度分别为20μm～300μm。

4.根据权利要求1所述的聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，所述多层介电材料层还包括：

第二聚偏二氟乙烯层，所述第二聚偏二氟乙烯层设在所述复合材料层的另一侧表面上。

5.根据权利要求4所述的聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，所述复合材料层由多层复合材料子层构成，在各所述复合材料子层中纳米钛酸钡的含量从位于中间的所述复合材料子层向着位于两侧的所述复合材料子层逐层减少。

6.根据权利要求4所述的聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，所述第一聚偏二氟乙烯层和所述第二聚偏二氟乙烯层的厚度分别为20μm～100μm，各所述复合材料子层的厚度分别为20μm～300μm。

7.根据权利要求1所述的聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，所述纳米钛酸钡表面由磷酸或钛酸酯偶联剂进行了表面改性。

8.一种电容器，其特征在于，包括导体和绝缘材料，所述绝缘材料由权利要求1～7任一项所述的聚合物基陶瓷复合介电材料构成。

9.一种聚合物基陶瓷复合介电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将聚偏二氟乙烯加入溶剂中以制备聚合物溶液，将不同重量的纳米钛酸钡和聚偏二氟乙烯加入所述溶剂中以制备不同浓度的复合材料浆料，所述溶剂为N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺；

B)以所述复合材料浆料为原料通过流延法或旋涂法或溶液浇注法制备复合材料层；以及

C)以所述聚合物溶液为原料在所述复合材料层的至少一侧表面上设置聚偏二氟乙烯层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)是通过依次实施以下步骤进行的：

B-1)将所述步骤A)得到的所述复合材料浆料成型，得到复合材料子层；以及

B-2)在所述复合材料子层上按照预定顺序依次成型纳米钛酸钡含量不同的复合材料子层，得到复合材料层。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤C)中所述聚偏二氟乙烯层是通过流延法或旋涂法或溶液浇注法设置在所述复合材料层的至少一侧表面上的。