[发明专利]一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110005463.3 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102593349A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用，属于微电子技术领域。所述SixNy基电阻型存储器包括上电极、绝缘介质层、阻变存储层和下电极，所述绝缘介质层设置于下电极之上，所述设置有绝缘介质层的下电极上具有一贯穿绝缘介质层的孔洞，所述阻变存储层和上电极均位于所述孔洞中，所述阻变存储层位于上电极和下电极之间，所述阻变存储层由SixNy材料制成，其中，x/y>3/4。本发明SixNy基电阻型存储器与CMOS工艺完全兼容，并具有超大存储窗口、高速、低功耗的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sub 电阻 存储器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种SixNy基电阻型存储器，其特征在于，包括上电极、绝缘介质层、阻变存储层和下电极，所述绝缘介质层设置于下电极之上，所述设置有绝缘介质层的下电极上具有一贯穿绝缘介质层的孔洞，所述阻变存储层和上电极均位于所述孔洞中，所述阻变存储层位于上电极和下电极之间，所述阻变存储层由SixNy材料制成，其中，x/y＞3/4。
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