[发明专利]一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110005463.3 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102593349A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si sub 电阻 存储器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种SixNy基电阻型存储器，其特征在于，包括上电极、绝缘介质层、阻变存储层和下电极，所述绝缘介质层设置于下电极之上，所述设置有绝缘介质层的下电极上具有一贯穿绝缘介质层的孔洞，所述阻变存储层和上电极均位于所述孔洞中，所述阻变存储层位于上电极和下电极之间，所述阻变存储层由SixNy材料制成，其中，x/y＞3/4。
2.根据权利要求1所述的SixNy基电阻型存储器，其特征在于，所述上电极的厚度为1nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的SixNy基电阻型存储器，其特征在于，所述上电极材料由W、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ru、Ti、Ta、Si、TiN、TaN、IrO、ITO或者IZO制成。
4.根据权利要求1所述的SixNy基电阻型存储器，其特征在于，所述下电极由W制成。
5.根据权利要求1所述的SixNy基电阻型存储器，其特征在于，所述下电极的厚度为1nm～500nm。
6.根据权利要求1所述的SixNy基电阻型存储器，其特征在于，所述阻变存储层的厚度为1nm～500nm。
7.一种SixNy基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
步骤a1：在下电极上沉积形成绝缘介质层，并对所述绝缘介质层进行开孔以暴露出下电极；
步骤b1：在所述暴露的下电极上沉积SixNy材料形成阻变存储层，其中，x/y＞3/4；
步骤c1：在所述阻变存储层上形成上电极。
8.根据权利要求7所述的SixNy基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤b1中通过PECVD、LPCVD或ALD工艺形成阻变存储层。
9.根据权利要求7所述的SixNy基电阻型存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤b1中阻变存储层由SixNy材料制成，其中，Si和N的比例通过控制PECVD、LPCVD或ALD工艺的条件进行调节，或者通过后续Si离子注入进行调节。
10.一种SixNy基电阻型存储器在铝互连工艺中的应用，其特征在于，所述应用包括以下步骤：
步骤a2：提供常规铝互连结构中使用的钨栓塞结构，所述钨栓塞结构作为SixNy基电阻型存储器的下电极；
步骤b2：在所述钨栓塞结构上形成绝缘介质层，并对所述绝缘介质层进行开孔以暴露出钨栓塞结构；
步骤c2：在所述暴露的钨栓塞结构上沉积SixNy材料形成阻变存储层，其中，x/y＞3/4；
步骤d2：在所述阻变存储层上形成上电极；
步骤e2：在所述上电极上依次沉积焊接层、互连金属层和抗反射层，再通过光刻和刻蚀的方法构图形成铝互连线。
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