[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201110003969.0 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102593308A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 方荣熙;许时渊 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片，以及封装发光二极管芯片的封装层，封装层具有一个出光面，发光二极管芯片发出的光从该出光面射出，该出光面上设有微结构，该微结构的设置具有如下规律中的至少一个：微结构分布的密度与发光二极管芯片在出光面上的光强度分布呈反比；微结构的尺寸与发光二极管芯片在出光面上的光强度分布呈反比。该发光二极管封装结构在其出光面上设置的微结构依光强度的变化而变化，可更大程度的破坏发光二极管芯片的光线全反射，同时优化出光面的出光均匀性，利于发光二极管封装结构的后端使用。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片，以及封装发光二极管芯片的封装层，封装层具有一个出光面，发光二极管芯片发出的光从该出光面射出，该出光面上设有微结构，其特征在于该微结构的设置具有如下规律中的至少一个：微结构分布的密度与发光二极管芯片在出光面上的光强度分布呈反比；微结构的尺寸与发光二极管芯片在出光面上的光强度分布呈反比。
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