[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管的封装结构。

背景技术

常见的发光二极管封装结构均具有一层由树脂、硅胶等材料制成的封装层将发光二极管芯片包覆，用于保护发光二极管芯片。发光二极管芯片发出的光可透过该封装层并向外射出。由于封装层的折射率比大气的折射率大，当光线的入射角大于临界角时，发光二极管芯片发出的光将在封装层与大气的界面发生全反射，致使光线不能射出至封装层外，因而影响发光效率。另一方面，由于越偏离光轴的光线越容易产生全反射，使得该发光二极管封装结构在光轴附近的光强度大，而越偏离光轴光线越弱，光线分布不均匀，不利于后端使用。

发明内容

本发明旨在提供一种发光效率高且发光均匀的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片，以及封装发光二极管芯片的封装层，封装层具有一个出光面，发光二极管芯片发出的光从该出光面射出，该出光面上设有微结构，该微结构的设置具有如下规律中的至少一个：微结构分布的密度与发光二极管芯片在出光面上的光强度分布呈反比；微结构的尺寸与发光二极管芯片在出光面上的光强度分布呈反比。

一种发光二极管封装结构，包括基板、设置在基板上的发光二极管芯片，以及封装发光二极管芯片的封装层，发光二极管芯片具有一个光轴，封装层具有一个出光面，发光二极管芯片发出的光从该出光面射出，该出光面上设有微结构，该微结构的设置具有如下规律中的至少一个：距离光轴越远，设置在出光面上的微结构分布的密度越大；距离光轴越远，设置在出光面上的微结构的尺寸越大。

本发明中的发光二极管封装结构在其出光面上设置的微结构依光强度的变化而变化，可更大程度的破坏发光二极管芯片的光线全反射，同时优化出光面的出光均匀性，利于发光二极管封装结构的后端使用。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。

主要元件符号说明

基板           10

电路结构       12

反射杯         14

光轴           15

发光二极管芯片 20

封装层         30

出光面         31

荧光粉         32

微结构         40、42

具体实施方式

请参考图1，本发明第一实施例的发光二极管封装结构包括基板10，设置在基板10上的发光二极管芯片20及封装发光二极管芯片20的封装层30。

基板10的一表面上例如是顶表面上，设有电路结构12。优选的，该电路结构12可延伸至基板10的另一表面，例如是底表面。

优选的，该基板10的顶表面上还可设有一个反射杯14。该反射杯14的材质可与基板10的材质相同。

发光二极管芯片20可以是在430nm以上具有发光峰值波长的氮化镓系发光二极管芯片，例如可以是发蓝光的发光二极管，当然还可以在430nm以下具有发光峰值波长的氮化镓系发光二极管芯片，例如紫外光发光二极管。

发光二极管芯片20与电路结构12电连接从而可与外部电源导通，以获得发光二极管芯片20工作时所需的电能。发光二极管芯片20可以覆晶或者打线固晶的方式固定在基板10上。本实施例中，发光二极管芯片20采用打线固晶的方式固定在基板10的电路结构12上，发光二极管芯片20的电极通过导线与电路结构12电连接。

优选的，发光二极管芯片20置于反射杯14的底部，并可置于中央位置。发光二极管芯片20具有一个通过发光二极管芯片20本身且垂直基板10的光轴15。一般而言，发光二极管芯片20沿着光轴15正向发光的光强度较大，而越偏离光轴方向的光强度越小。

封装层30可以是由树脂或者硅胶等材料制成，用于封装发光二极管芯片20。封装层30的外表面可大致与反射杯14的开口相平。封装层30的外表面形成出光面31。发光二极管芯片20发出的光线经封装层30的出光面31射出至封装结构的外部空间。该出光面31可依反射杯14的开口形状不同而具有不同的形状，例如可以是圆形、椭圆形、方形等。