[发明专利]SOI体接触MOS晶体管的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110000453.0 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102543957A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/12;H01L29/78;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SOI体接触MOS晶体管的测试结构，包括：SOI衬底，所述SOI衬底上形成有多个第一类型体接触MOS晶体管，所述SOI衬底上还包含有一个或多个第二类型体接触MOS晶体管，所述第二类型体接触MOS晶体管包含有第一体接触区与第二体接触区，所述第一体接触区与第二体接触区对称分布于所述第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道两侧；所述第一类型体接触MOS晶体管与第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道具有相同的沟道长度与沟道宽度，且具有相同的导电类型。所述测试结构以较为简便的方法实现了对SOI衬底上MOS晶体管体区电阻的检测。 | ||
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【主权项】：
一种SOI体接触MOS晶体管的测试结构，其特征在于，包括：SOI衬底，所述SOI衬底上形成有多个第一类型体接触MOS晶体管，所述SOI衬底上还包含有一个或多个第二类型体接触MOS晶体管，所述第二类型体接触MOS晶体管包含有第一体接触区与第二体接触区，所述第一体接触区与第二体接触区对称分布于所述第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道两侧；所述第一类型体接触MOS晶体管与第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道具有相同的沟道长度与沟道宽度，且具有相同的导电类型。
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