[其他]静电吸盘有效
| 申请号： | 201090001116.2 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN203055886U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 成珍一;芮庚焕;吴致源;柳忠烈 | 申请（专利权）人： | 高美科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用于等离子施放装置的静电吸盘中，制备一基体且将具有非晶体结构的第一绝缘层设置在该基体上。将用于产生静电力的电极层设置在该第一绝缘层上。介电层定位在该电极层上。从而使在静电吸盘中的漏电流和由该漏电流导致的电弧最小化，从而提高了静电吸盘的疲劳极限和电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，包括： 基体； 设置在所述基体上并具有非晶体结构的第一绝缘层； 设置在所述第一绝缘层上并产生静电力的电极层；以及 设置在所述电极层上的介电层， 其中所述介电层包括： 覆盖所述电极层并具有非晶体结构的第一介电层；以及 设置在所述第一介电层上并具有晶体结构的第二介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
