[其他]静电吸盘有效
| 申请号: | 201090001116.2 | 申请日: | 2010-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN203055886U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 成珍一;芮庚焕;吴致源;柳忠烈 | 申请(专利权)人: | 高美科株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,包括:
基体;
设置在所述基体上并具有非晶体结构的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上并产生静电力的电极层;以及
设置在所述电极层上的介电层,
其中所述介电层包括:
覆盖所述电极层并具有非晶体结构的第一介电层;以及
设置在所述第一介电层上并具有晶体结构的第二介电层。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述第一介电层具有大约100μm到大约300μm的厚度,并且所述第二介电层具有大约200μm到大约400μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述第一介电层具有大约0.5%到大约2%的孔隙率,并且所述第二介电层具有大约3%到大约7%的孔隙率。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述第一介电层具有大约4μm到大约8μm的表面粗糙度(Ra),并且所述第二介电层具有大约3μm到大约5μm的表面粗糙度(Ra)。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述第一和第二介电层具有大约至少650Hv的硬度和大约至少14MPa的粘合强度。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述第一和第二介电层具有总和大约1014Ω·cm到大约1015Ω·cm的体电阻。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中所述电极层覆盖有所述第一介电层,所述第一介电层覆盖有所述第二介电层。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其中第一绝缘层具有大约400μm到大约600μm的厚度。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘,还包括夹持在所述基体和所述电极层之间的第二绝缘层。
10.根据权利要求9所述的静电吸盘,其中所述第一绝缘层具有大约100μm到大约300μm的厚度,并且所述第二绝缘层具有大约200μm到大约400μm的厚度。
11.一种静电吸盘,其包括:
基体;
设置在该基体上的绝缘层;
设置在该绝缘层上并产生静电力的电极层;
设在该电极层上并具有非晶体结构的第一介电层;以及
设置在该第一介电层上并具有晶体结构的第二介电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





