[发明专利]用于制造机电系统的方法有效
| 申请号: | 201080071046.2 | 申请日: | 2010-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN103476702A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 丹尼尔·J·迈斯特珂 | 申请(专利权)人: | 普利麦克斯有限公司 |
| 主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 徐川;张颖玲 |
| 地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本申请描述了一种在由机械器件和衬底组成的微机电系统(MEMS)或纳机电系统(NEMS)的氢氟酸蒸汽(VHF)释放过程中避免静摩擦力的方法。在所述衬底与氧化物牺牲层之间和/或在器件层与所述氧化物牺牲层之间,和/或在所述器件层背对所述氧化物牺牲层的一侧上提供氮化硅层,并且在去除牺牲氧化物的一部分的同时,利用VHF将所述氮化硅层转化为更厚的六氟硅酸铵。所述六氟硅酸铵在制作过程中用作限制器件移动的临时的支撑物、垫片、楔状物或系链,并且之后在加热和/或减压下通过升华来去除。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 机电 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,用于制造由机械器件和衬底组成的微机电系统(MEMS)或纳机电系统(NEMS),所述方法包括:a)在所述机械器件与所述衬底之间沉积牺牲氧化硅;b)在选自由以下位置组成的组中的一个或多个位置提供氮化硅层:i)在所述衬底与所述牺牲氧化硅之间;ii)在所述牺牲氧化硅与所述器件之间;以及iii)在所述器件上;c)在一定条件下引入VHF,以同时i)去除所述牺牲氧化硅的至少一部分;且ii)将所述氮化硅的至少一部分转化为六氟硅酸铵,以提供限制器件移动的临时的支撑物、垫片、楔状物或系链;d)在避免液体形成的压力和温度条件下使所述六氟硅酸铵升华。
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