[发明专利]用于制造机电系统的方法有效

专利信息
申请号: 201080071046.2 申请日: 2010-12-07
公开(公告)号: CN103476702A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 丹尼尔·J·迈斯特珂 申请(专利权)人: 普利麦克斯有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/02;C23C16/44;C23C16/40
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 徐川;张颖玲
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请描述了一种在由机械器件和衬底组成的微机电系统(MEMS)或纳机电系统(NEMS)的氢氟酸蒸汽(VHF)释放过程中避免静摩擦力的方法。在所述衬底与氧化物牺牲层之间和/或在器件层与所述氧化物牺牲层之间,和/或在所述器件层背对所述氧化物牺牲层的一侧上提供氮化硅层,并且在去除牺牲氧化物的一部分的同时,利用VHF将所述氮化硅层转化为更厚的六氟硅酸铵。所述六氟硅酸铵在制作过程中用作限制器件移动的临时的支撑物、垫片、楔状物或系链,并且之后在加热和/或减压下通过升华来去除。
搜索关键词: 用于 制造 机电 系统 方法
【主权项】:
一种方法,用于制造由机械器件和衬底组成的微机电系统(MEMS)或纳机电系统(NEMS),所述方法包括:a)在所述机械器件与所述衬底之间沉积牺牲氧化硅;b)在选自由以下位置组成的组中的一个或多个位置提供氮化硅层:i)在所述衬底与所述牺牲氧化硅之间;ii)在所述牺牲氧化硅与所述器件之间;以及iii)在所述器件上;c)在一定条件下引入VHF,以同时i)去除所述牺牲氧化硅的至少一部分;且ii)将所述氮化硅的至少一部分转化为六氟硅酸铵,以提供限制器件移动的临时的支撑物、垫片、楔状物或系链;d)在避免液体形成的压力和温度条件下使所述六氟硅酸铵升华。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普利麦克斯有限公司,未经普利麦克斯有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080071046.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top