[发明专利]用于制造机电系统的方法

权利要求书

1.一种方法，用于制造由机械器件和衬底组成的微机电系统(MEMS)或纳机电系统(NEMS)，所述方法包括：

a)在所述机械器件与所述衬底之间沉积牺牲氧化硅；

b)在选自由以下位置组成的组中的一个或多个位置提供氮化硅层：

i)在所述衬底与所述牺牲氧化硅之间；

ii)在所述牺牲氧化硅与所述器件之间；以及

iii)在所述器件上；

c)在一定条件下引入VHF，以同时

i)去除所述牺牲氧化硅的至少一部分；且

ii)将所述氮化硅的至少一部分转化为六氟硅酸铵，以提供限制器件移动的临时的支撑物、垫片、楔状物或系链；

d)在避免液体形成的压力和温度条件下使所述六氟硅酸铵升华。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件选自由非晶硅、多晶硅、硅-锗、铝、钨、钛、氮化钛、铝合金、钨合金、钛合金、它们的组合以及金属-氧化硅堆叠体组成的组中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述VHF包括氢氟酸以及醇或水。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，临时的六氟硅酸铵支撑物、垫片、楔状物或系链直到一个或者多个中间步骤进行之后才通过升华来去除，所述中间步骤选自分割、封装和金属化中，由此在所述一个或多个中间步骤中防止移动。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件、衬底、氧化硅和氮化硅在所述MEMS或所述NEMS的制作过程中以层提供，并且氮化硅层提供在所述器件层的每一侧。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件、衬底、氧化硅和氮化硅在所述MEMS或所述NEMS的制作过程中以层提供，并且第一氮化硅层提供在衬底层面对器件层的一侧，第二氮化硅层提供在所述器件层面对所述衬底层的一侧，且氧化硅层提供在所述第一氮化硅层与所述第二氮化硅层之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件、衬底、氧化硅和氮化硅在所述MEMS或所述NEMS的制作过程中以层提供，并且器件层由设计为彼此相对移动或者相对于所述衬底移动的区域组成，其中氮化硅层提供为系链的形式，以在制作过程中限制所述区域彼此相对移动，其中在允许所述区域彼此相对移动时，通过升华来去除氮化硅系链。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲氧化物的一部分未被去除而用作锚。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化硅由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或者低压化学气相沉积(LPCVD)制造，由PECVD制造的所述氮化硅比由LPCVD制造的所述氮化硅反应快。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述氮化硅的至少一部分转化为所述六氟硅酸铵，形成的所述六氟硅酸铵与所述氮化硅的一部分相比具有更大的体积。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述VHF与所述氮化硅的反应形成的所述六氟硅酸铵的量和位置通过选择所述氮化硅的位置、厚度和质量来控制。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件选自由非晶硅、多晶硅、硅-锗、铝、钨、钛、氮化钛、铝合金、钨合金、钛合金、它们的组合以及金属-氧化硅堆叠体组成的组中，其中所述VHF包含氢氟酸以及醇或水，其中所述牺牲氧化物的一部分未被去除而用作锚，其中基于所述氮化硅的至少一部分转化为所述六氟硅酸铵，形成的所述六氟硅酸铵与所述氮化硅的一部分相比具有更大的体积。

13.一种根据权利要求12所述的方法制造的MEMS或NEMS。

14.一种根据权利要求1所述的方法制造的MEMS或NEMS。