[发明专利]含钼靶材有效
| 申请号： | 201080068832.7 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103154307A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | G·A·罗扎克;M·E·盖多斯;P·A·霍根;S·孙 | 申请（专利权）人： | H·C·施塔克公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/00;C22C27/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张海文 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及包括50原子%或更多钼、第二金属元素铌或钒，及选自由钛、铬、铌、钒和钽组成的群组的第三金属元素，且其中第三金属元素与第二金属元素不同的溅射靶材，及采用所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面，所述溅射靶材包括一富钼相、一富第二金属元素相及一富第三金属元素相。 | ||
| 搜索关键词： | 含钼靶材 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材，包括：i)占所述溅射靶材原子总数大约40原子%或更高的钼；ii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更高的第二金属元素，其中所述第二金属元素选自由铌和钒所组成的群组；及iii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更高的第三金属元素，其中所述第三金属元素选自由钽、铬、钒、铌和钛所组成的群组，且第三金属元素与第二金属元素不同；因此所述溅射靶材可用于制造含有合金的沉积膜，所述合金包括钼、第二金属元素和第三金属元素。
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