[发明专利]含钼靶材

权利要求书

1.一种溅射靶材，包括：

i)占所述溅射靶材原子总数大约40原子%或更高的钼；

ii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更高的第二金属元素，其中所述第二金属元素选自由铌和钒所组成的群组；及

iii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更高的第三金属元素，其中所述第三金属元素选自由钽、铬、钒、铌和钛所组成的群组，且第三金属元素与第二金属元素不同；

因此所述溅射靶材可用于制造含有合金的沉积膜，所述合金包括钼、第二金属元素和第三金属元素。

2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材中钼的浓度是大约60原子%或更高，所述溅射靶材中第二金属元素的浓度是大约5原子%或更高，及所述溅射靶材中第三金属元素的浓度是大约5原子%或更高。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材包括：

i)占所述溅射靶材总体积大约40体积%或更高的第一相，其中所述第一相包括浓度占第一相中原子总数大约50原子%或更高的钼；

ii)占所述溅射靶材总体积大约1至大约40体积%的第二相，其中所述第二相包括浓度占第二相中原子总数大约50原子%或更高的第二金属元素；及

iii)占所述溅射靶材总体积大约1至大约40体积%的第三相，其中所述第三相包括浓度占第三相中原子总数大约50原子%或更高的第三金属元素；

这样，因此所述溅射靶材可用于制造包括一含有合金的沉积膜，所述合金包括钼、第二金属元素和第三金属元素。

4.根据权利要求1至3任一项所述的溅射靶材，其中所述第二金属元素是铌。

5.根据权利要求1至4任一项所述的溅射靶材，其中所述第三金属元素是钒。

6.根据权利要求1至5任一项所述的溅射靶材，其中所述第三金属元素是钽。

7.根据权利要求1至3任一项所述的溅射靶材，其中所述第二金属元素是铌，并且第三金属元素是钽。

8.根据权利要求1至7任一项所述的溅射靶材，其中利用磁控管溅射所述溅射靶材而在干净的硅片上沉积一沉积层，所述沉积层厚度是大约200nm，在25℃的铁氰化物溶液中的蚀刻速率大于大约100nm/min。

9.根据权利要求1至8任一项所述的溅射靶材，其中利用磁控管溅射所述溅射靶材而在干净的硅片上沉积一沉积层，所述沉积层厚度是大约200nm，在25℃铁氰化物溶液中的蚀刻速率大于大约200nm/min。

10.根据权利要求1至9任一项所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材中钼的浓度是大约50原子%或更高。

11.根据权利要求1至10任一项所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材中钼的浓度是大约70原子%或更高。

12.根据权利要求1至11任一项所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材包括一种或多种与第二金属元素和第三金属元素不同的第四金属元素，其中所述第四金属元素选自由钽、钒、铌、铬和钛所组成的群组。

13.根据权利要求12所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材包括至少一个第四相，其中所述第四相包括至少50原子%的第四金属元素。

14.根据权利要求1至13任一项所述的溅射靶材，其中所述第二相占所述溅射靶材总体积的5体积%或更高。

15.根据权利要求1至14任一项所述的溅射靶材，其中所述第三相占所述溅射靶材总体积的5体积%或更高。

16.根据权利要求1至15任一项所述的溅射靶材，其中所述第二金属元素的浓度是所述溅射靶材原子总数的大约1原子%或更高。

17.根据权利要求1至16任一项所述的溅射靶材，其中所述第二金属元素的浓度是所述溅射靶材中原子总数的大约5原子%至大约25原子%。

18.根据权利要求1至17任一项所述的溅射靶材，其中所述第三金属元素的浓度是所述溅射靶材中原子总数的大约1原子%或更高。

19.根据权利要求1至18任一项所述的溅射靶材，其中所述第三金属元素的浓度是所述溅射靶材中原子总数的大约5原子%至大约25原子%。