[发明专利]具有硼扩散层的硅太阳能电池单元及其制造方法

摘要

在目前最普及的Al-BSF型太阳能电池单元中，由于具有背面Al电极，薄形化处理具有界限，为200μm的程度，其转换效率在16～17%的范围内。课题在于用于降低单元的制造成本的进一步的薄形化和高效率化。一种n+pp++B/Al-BSF型的薄型的高效率的太阳能电池单元，其特征在于在具有通过磷扩散和硼扩散制作的n+-p-p+结构的硅太阳能电池单元的两个表面上形成SiO2膜和SiNx膜，在几乎整个面的范围内，在感光面上形成栅电极，在背面上形成具有小的多个开口部的薄的Al电极，由此，在该Al电极部，形成构成强的BSF的p++层。

主权项

一种硅太阳能电池单元的制造方法，该硅太阳能电池单元具有在p型或n型硅衬底的第一面上形成磷（P）扩散的n+层，在第二面上形成硼（B）扩散的p+层的n+‑p‑p+结构或p+‑n‑n+结构，其特征在于上述n+‑p‑p+结构或p+‑n‑n+结构的制造方法包括下述步骤：按照将上述第一面面对的方式将2个上述硅衬底装载于硼扩散炉内部，将硼热扩散到上述第二面，接着，导入氧气体，将伴随硼扩散而形成于扩散面上的硼玻璃膜改性为厚度在85～95μm的范围内的富含SiO2物的膜；针对上述硼扩散硅衬底，采用在辊式运送系统中水平移动衬底，将氟硝酸溶液接触于背面侧的方式的直列式单面蚀刻装置，去除上述第一面的硼围绕扩散部分；按照将上述第二面面对，将两个上述硼扩散硅衬底装载于磷扩散炉内部，将磷热扩散于上述第一面上。