[发明专利]具有硼扩散层的硅太阳能电池单元及其制造方法

权利要求书

1.一种硅太阳能电池单元的制造方法，该硅太阳能电池单元具有在p型或n型硅衬底的第一面上形成磷（P）扩散的n⁺层，在第二面上形成硼（B）扩散的p⁺层的n⁺-p-p⁺结构或p⁺-n-n⁺结构，其特征在于上述n⁺-p-p⁺结构或p⁺-n-n⁺结构的制造方法包括下述步骤：

按照将上述第一面面对的方式将2个上述硅衬底装载于硼扩散炉内部，将硼热扩散到上述第二面，接着，导入氧气体，将伴随硼扩散而形成于扩散面上的硼玻璃膜改性为厚度在85～95μm的范围内的富含SiO₂物的膜；

针对上述硼扩散硅衬底，采用在辊式运送系统中水平移动衬底，将氟硝酸溶液接触于背面侧的方式的直列式单面蚀刻装置，去除上述第一面的硼围绕扩散部分；按照将上述第二面面对，将两个上述硼扩散硅衬底装载于磷扩散炉内部，将磷热扩散于上述第一面上。

2.一种采用表面钝化法的硅太阳能电池单元的制造方法，该硅太阳能电池单元具有在p型或n型硅衬底的第一面上形成磷扩散的n⁺层，在第二面上形成硼（B）扩散的p⁺层的n⁺-p-p⁺结构或p⁺-n-n⁺结构，其特征在于该方法包括下述步骤：

通过在去除伴随上述硼扩散和磷扩散，形成于硅衬底表面上的硼玻璃膜和磷玻璃膜后，浸渍于臭氧水中，将厚度在20～30?的范围内的硅氧化膜形成于第1和第二面上；

在上述第一和第二面的硅氧化膜上，通过等离子CVD装置，在成膜温度在400～450℃的条件下，形成氮化硅膜。

3.一种硅太阳能电池单元，该硅太阳能电池单元具有在p型或n型硅衬底的第一面上形成磷扩散的n⁺层，在第二面上形成硼（B）扩散的p⁺层的n⁺-p-p⁺ A结构或p⁺-n-n⁺结构，其特征在于：

在上述第一面上印刷·干燥栅型的Ag电极；

在于上述第二面上在干燥后膜厚在10～15μm的范围内的条件下印刷·干燥Al含量在2～4重量%的AgAl电极后，在该AgAl电极上重合涂敷而印刷·干燥干燥后膜厚在20～24μm的银电极；

具有在峰值温度在750～780℃的范围内的条件下同时地对上述第一面和第二面的电极进行烘焙的烘焙后的膜厚大于23μm的2层结构栅电极。

4.一种硅太阳能电池单元，其特征在于在于p型或n型硅衬底的第一面上形成磷扩散的n⁺层，在第二面上形成硼扩散的p⁺层的n⁺-p-p⁺ A结构的硅衬底上，

于上述第一面上印刷·干燥栅型Ag电极；

在上述第二面上，在AgAl背面焊盘电极和该AgAl焊盘电极部以外的基本整个面的范围内，印刷·干燥构成烘焙后膜厚在6～15μm的范围内的薄的Al电极，在峰值温度在750～780℃的条件下同时烘焙，由此，

在由上述Al电极覆盖的部分的硅衬底的p⁺层上，还具有Al扩散的p⁺⁺层的背面场（BSF）。

5.根据权利要求4所述的硅太阳能电池单元，其特征在于通过具有多个小的开口部的式样，制作上述Al电极，该开口部形成B扩散的p⁺层，由Al电极覆盖的部分形成B和Al扩散的p⁺⁺层的BSF。