[发明专利]导体结构元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080064300.6 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102763494A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: T.哥特瓦尔德;A.纽曼 申请(专利权)人: 施韦策电子公司
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 任宇
地址: 德国施*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于制造导体结构元件的方法,所述方法带有如下步骤:提供刚性载体(12),在刚性载体(12)上电镀沉积铜覆层(14),将导体图形结构(16)施加在铜覆层(14)上然后装配可能的部件,将载体与至少一个电绝缘位层(24、28)层压,清除刚性载体(12),至少这样地部分去除刚性载体(12)的剩余铜覆层(14),使得导体图形结构(16、14、42)显露出来。
搜索关键词: 导体 结构 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种用于制造导体结构元件的方法,所述方法带有如下步骤:‑提供刚性载体(12),‑在刚性载体(12)上电镀沉积铜覆层(14),‑将导体图形结构(16)施加在铜覆层(14),随后进行可能的部件装配,‑将所述刚性载体与至少一个电绝缘位层(24、28)层压,‑清除刚性载体(12),‑至少这样地部分去除刚性载体(12)的剩余铜覆层(14),使得导体图形结构(16、14、42)显露出来。
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