[发明专利]导体结构元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080064300.6 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102763494A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: T.哥特瓦尔德;A.纽曼 申请(专利权)人: 施韦策电子公司
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 任宇
地址: 德国施*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 导体 结构 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造导体结构元件的方法,所述方法带有如下步骤:

-提供刚性载体(12),

-在刚性载体(12)上电镀沉积铜覆层(14),

-将导体图形结构(16)施加在铜覆层(14),随后进行可能的部件装配,

-将所述刚性载体与至少一个电绝缘位层(24、28)层压,

-清除刚性载体(12),

-至少这样地部分去除刚性载体(12)的剩余铜覆层(14),使得导体图形结构(16、14、42)显露出来。

2.根据权利要求1所述的方法,其中刚性载体(12)由两性金属制成。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中刚性载体(12)由铝或铝合金制成。

4.根据权利要求1至3中一项所述的方法,其中刚性载体(12)的铜覆层(14)的厚度在大约2μm至大约7μm之间。

5.根据权利要求1至4中一项所述的方法,其中所施加的导体图形结构(16)由铜制成。

6.根据权利要求1至5中一项所述的方法,其中所施加的导体图形结构(16)被电镀施加。

7.根据权利要求1至6中一项所述的方法,其中平面铜覆层(14)仅在其上沉积了另外的外部导体图形(42、44)后才被去除。

8.根据权利要求1至7中一项所述的方法,所述方法带有如下步骤:(在施加导体图形结构之前)在导体图形结构(16)下方沉积耐腐蚀金属位层。

9.根据权利要求1至8中一项所述的方法,所述方法带有如下步骤:在导体图形结构(16)上用于部件的连接位置(18)上形成一个或多个接触层。

10.根据权利要求1至9中一项所述的方法,所述方法带有如下步骤:在导体图形结构(16)上形成一个或多个作为部件连接位置的装配凸起(18’)。

11.根据权利要求1至11中一项所述的方法,其中,施加导体图形结构(16)的步骤包括施加第一镀层且然后在所述第一镀层上至少局部地镀覆以在一个位层内实现不同的铜覆层厚度。

12.根据权利要求1至11中一项所述的方法,其中部件装配前将大面积的载体(制造规格)划分为更小的规格尺寸(C)(单块印刷电路板)。

13.根据权利要求1至12中一项所述的方法,所述方法带有如下步骤:对所装配的部件(20)中的至少一个进行底部填充(20)。

14.根据权利要求12或13所述的方法,所述方法带有如下步骤:将单块印刷电路板(C)放回到布设架(100)内以用于再加工。

15.根据权利要求1至14中一项所述的方法,其中在清除刚性载体(12)的步骤前还进行如下步骤:

-在多层结构上设置至少一个粘合剂位层(24、28),和

-与作为结束位层的铜薄膜(F)相压合,以便与由一系列多个导电位层和绝缘位层形成的印刷电路板半成品进行层压成型和/或压合。

16.根据权利要求1至15中一项所述的方法,所述方法包括减薄或削去已装配的芯片(20)的步骤。

17.根据权利要求16所述的方法,其中减薄的步骤包括施加耐腐蚀层(54)以在芯片边缘上侧向覆盖芯片的有效位层(20.1)且然后去除突伸出的芯片的非有效位层(20.2)。

18.根据权利要求16或17所述的方法,其中芯片(20)的减薄机械地通过磨蚀进行和/或化学地进行。

19.根据权利要求16至18中一项所述的方法,其中芯片的有效位层(20.1)制造在耐腐蚀层(21)上,所述耐腐蚀层(21)在减薄的过程中保护芯片的有效位层不被侵蚀。

20.一种导体结构元件,所述导体结构元件根据权利要求1至19中一项所述的方法制造。

21.根据权利要求20所述的导体结构元件,所述导体结构元件带有基本上与电介质层(28’)的表面齐平地封闭的导体图形结构(16)。

22.根据权利要求21所述的导体结构元件,其中导体图形结构(16)仅包括电镀沉积的铜。

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