[发明专利]沉淀二氧化硅无效

专利信息
申请号: 201080063502.9 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN102753479A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: R·瓦勒罗 申请(专利权)人: 蓝星有机硅法国公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;C01B33/18;C01B33/187;C01B33/193
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张力更
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及制备尤其是粉末形式的沉淀二氧化硅的方法。本发明还涉及如此获得的沉淀二氧化硅,以及其用途,尤其是用于增强有机硅弹性体基质或者基于有机硅糊料的基质。
搜索关键词: 沉淀 二氧化硅
【主权项】:
制备沉淀二氧化硅X的方法,所述沉淀二氧化硅X是可分散性的,并且具有改善的增强性能,所述方法包括以下步骤:a)使至少一种硅酸盐与至少一种酸化剂反应,以获得沉淀二氧化硅的悬浮液A,b)过滤并洗涤所述的沉淀二氧化硅的悬浮液A,以获得滤饼B,c)干燥滤饼B以获得沉淀二氧化硅C的粉末,并且d)进行沉淀二氧化硅C的破碎和干燥,这两种操作同时在机械破碎机Z中在50‑190°C,优选60‑150°C,甚至更优选65‑130°C的温度下进行,并且回收沉淀二氧化硅X。
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