[发明专利]使用薄平面半导体的高效光伏背触点太阳能电池结构和制造方法

摘要

本发明提供了背结背触点太阳能电池及其制造方法。所述背结背触点太阳能电池包括衬底，所述衬底具有：具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，以及掺杂的背面发射极区域，所述背面发射极区域的极性与掺杂的基极区域相反。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成光捕获背面反射镜。在所述太阳能电池的背面设置交叉指状金属化图案，并且为该电池的支撑提供永久性加强物。

主权项

一种背结背触点薄太阳能电池，包括：沉积的半导体层，包括：具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，和掺杂的背面发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；在所述背面发射极区域上的背面钝化介电层和图案化反射层，其中所述背面钝化介电层和所述图案化反射层形成光捕获背面反射镜；背面发射极触点和背面基极触点，其连接至在所述背结背触点薄太阳能电池的背面形成交叉指状金属化图案的金属化图案的金属互连件；以及在所述背结背触点薄太阳能电池的正面或背面上设置的至少一个永久性支撑增强。