[发明专利]使用薄平面半导体的高效光伏背触点太阳能电池结构和制造方法

权利要求书

1.一种背结背触点薄太阳能电池，包括：

沉积的半导体层，包括：

具有钝化层的光捕获正面表面，

掺杂的基极区域，和

掺杂的背面发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；

在所述背面发射极区域上的背面钝化介电层和图案化反射层，其中所述背面钝化介电层和所述图案化反射层形成光捕获背面反射镜；

背面发射极触点和背面基极触点，其连接至在所述背结背触点薄太阳能电池的背面形成交叉指状金属化图案的金属化图案的金属互连件；以及

在所述背结背触点薄太阳能电池的正面或背面上设置的至少一个永久性支撑增强。

2.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述沉积的半导体层是厚度在15至50微米范围内的外延硅层。

3.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述具有钝化层的光捕获正面表面充当抗反射涂层。

4.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述具有钝化层的光捕获正面表面提供场辅助钝化。

5.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述掺杂的背面发射极区域是原位掺杂的外延发射极区域，发射极结厚度小于3微米。

6.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述交叉指状金属化图案是交叉指状电极和汇流条的分布式阵列。

7.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中在所述背面基极触点下面的较高浓度的基极掺杂区域大体上与发射极区域分离，从而形成分离结。

8.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中在所述背面基极触点下面的较高浓度的基极掺杂区域与发射极区域相邻，从而形成邻接结。

9.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述反射镜是朗伯镜。

10.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中在所述发射极触点下面的局部掺杂浓度大体上较高，从而形成选择性发射极触点。

11.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述永久性支撑增强物是透明的正面支撑增强物。

12.如权利要求1所述的背结背触点薄太阳能电池，其中所述永久性支撑增强物是背面栅格状支撑增强物。

13.一种背结背触点薄太阳能电池，包括：

厚度在15至50微米范围内的平面外延硅层，包括：

具有提供场辅助钝化的抗反射涂层的织构化的正面表面，

掺杂的基极区域，和

掺杂的背面外延发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；

在所述背面发射极区域上的背面钝化介电层和图案化反射层，其中所述背面钝化介电层和所述图案化反射层形成朗伯镜；

背面发射极触点和背面基极触点，其连接至在所述背结背触点薄太阳能电池的背面形成交叉指状金属化图案的金属互连件；和

在所述背结背触点薄太阳能电池的正面设置的永久性透明正面支撑增强物。

14.一种背结背触点薄太阳能电池，包括：

厚度在15至50微米范围内的平面外延硅层，包括：

具有提供场辅助钝化的抗反射涂层的织构化的正面表面，

掺杂的基极区域，和

掺杂的背面外延发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；

在所述背面发射极区域上的背面钝化介电层和图案化反射层，其中所述背面钝化介电层和所述图案化反射层形成朗伯镜；

背面发射极触点和背面基极触点，其连接至在所述背结背触点薄太阳能电池的背面形成交叉指状电极和汇流条的金属化图案的金属互连件；和

在所述背结背触点薄太阳能电池的背面设置的永久性栅格状背面支撑增强物。