[发明专利]处理绝缘体上硅晶片的方法无效
| 申请号： | 201080059531.8 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102687237A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | S·Y·杜马尔;L·P·弗兰纳里;T·A·托拉克;J·A·皮特尼 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于在绝缘体上硅结构上蚀刻和/或沉积外延层的方法，该绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在处理晶片和硅层之间的介质层。该硅层具有限定该结构的外表面的裂开表面。然后，蚀刻晶片的裂开表面，同时控制反应器的温度以便蚀刻反应受动力学限制。然后，在所述晶片上沉积外延层，同时控制所述反应器的温度以便在所述裂开表面上的沉积速率受动力学限制。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 绝缘体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片和所述硅层之间的介质层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开表面，所述方法包括如下步骤：将所述结构插入反应器中；蚀刻所述裂开表面，同时控制所述反应器的温度以便所述蚀刻反应受动力学限制；在所述晶片上沉积外延层，同时控制所述反应器的温度以便在所述裂开表面上的沉积速率受动力学限制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
