[发明专利]处理绝缘体上硅晶片的方法

权利要求书

1.一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片和所述硅层之间的介质层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开表面，所述方法包括如下步骤：

将所述结构插入反应器中；

蚀刻所述裂开表面，同时控制所述反应器的温度以便所述蚀刻反应受动力学限制；

在所述晶片上沉积外延层，同时控制所述反应器的温度以便在所述裂开表面上的沉积速率受动力学限制。

2.根据权利要求1的方法，其中在蚀刻期间所述反应器的所述温度在900℃和950℃之间。

3.根据权利要求1的方法，其中当沉积气体是三氯硅烷时，在沉积期间的所述反应器的所述温度被设置在950℃和1050℃之间。

4.一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片和所述硅层之间的介质层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开表面，所述方法包括如下步骤：

将所述结构插入反应器中；

设定所述反应器的温度以便所述裂开表面的蚀刻速率将受动力学限制；

启动进入所述反应器的气体蚀刻剂的流动；以及

蚀刻所述裂开表面。

5.根据权利要求4的方法，其中所述蚀刻步骤包括移除所述结构的所述硅层的至少一部分。

6.根据权利要求4的方法，其中所述气体蚀刻剂是氢气和氯化氢的混合。

7.根据权利要求4的方法，其中所述反应器的所述温度被设定在900℃和950℃之间。

8.根据权利要求7的方法，其中所述反应器的所述温度被设定为950℃。

9.根据权利要求7的方法，其中所述反应器的所述温度被设定为925℃。

10.根据权利要求4的方法，还包括一旦所述蚀刻剂气体移除所述裂开表面的所述硅层的期望的量就停止所述气体蚀刻剂的流动。

11.根据权利要求10的方法，还包括在所述气体蚀刻剂的流动已经停止之后在所述结构上执行外延沉积工艺。

12.一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层以及在所述处理晶片和所述硅层之间的介质层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开表面，所述方法包括如下步骤：

将所述结构插入反应器中；

设定所述反应器的温度以便所述裂开表面上的硅的沉积速率将受动力学限制；

启动进入所述反应器的沉积气体的流动；以及

在所述结构的所述裂开表面上沉积硅。

13.根据权利要求12的方法，其中所述沉积气体包括：甲硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷和四氯硅烷中的至少一种。

14.根据权利要求12的方法，其中所述沉积步骤包括将包含在所述沉积气体中的硅沉积到所述结构的所述裂开表面上。

15.根据权利要求12的方法，其中当所述沉积气体是三氯硅烷时所述反应器的所述温度被设定在950℃和1050℃之间。

16.根据权利要求15的方法，其中所述反应器的所述温度被设定为1000℃。

17.根据权利要求12的方法，还包括一旦期望厚度的硅被沉积到所述结构的所述裂开表面上就停止所述沉积气体的流动。

18.根据权利要求12的方法，还包括从所述反应器移除所述结构。