[发明专利]采用用于四倍半节距凸起图案化的两次侧壁图案化形成存储器线和结构的设备和方法有效
| 申请号： | 201080059446.1 | 申请日： | 2010-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102714142A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | R.E.舒尔莱因;田中世一郎 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L27/10;H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供采用用于四倍半节距凸起图案化的两次侧壁图案化来制造存储器线和结构的设备、方法和系统。本发明包括：由设置在基板上方的第一模板层形成第一特征；邻近特征形成半节距侧壁间隔体；通过采用半节距侧壁间隔体作为硬掩模，在第二模板层中形成更小的特征；邻近更小的特征形成四分之一节距侧壁间隔体；以及通过采用四分之一节距侧壁间隔体作为硬掩模，由导体层形成导体特征。多个附加的方面被公开。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 用于 四倍半节距 凸起 图案 两次 侧壁 形成 存储器 结构 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种形成存储器的布线图案的方法，包括：由设置在基板上方的第一模板层形成第一特征；邻近所述第一特征形成第一侧壁间隔体；通过采用所述第一侧壁间隔体作为硬掩模，在第二模板层中形成第二特征；邻近所述第二特征形成第二侧壁间隔体；以及通过采用所述第二间隔体作为硬掩模，由导体层形成导体特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
