[发明专利]采用用于四倍半节距凸起图案化的两次侧壁图案化形成存储器线和结构的设备和方法

权利要求书

1.一种形成存储器的布线图案的方法，包括：

由设置在基板上方的第一模板层形成第一特征；

邻近所述第一特征形成第一侧壁间隔体；

通过采用所述第一侧壁间隔体作为硬掩模，在第二模板层中形成第二特征；

邻近所述第二特征形成第二侧壁间隔体；以及

通过采用所述第二间隔体作为硬掩模，由导体层形成导体特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一特征采用具有最小节距能力的光刻设备形成，并且其中采用所述光刻设备的所述最小节距能力，所述第一特征形成为具有最小节距。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一侧壁间隔体的节距小于所述最小节距。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一侧壁间隔体的节距约为所述最小节距的一半。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二侧壁间隔体的节距小于所述第一侧壁间隔体的节距。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二侧壁间隔体的节距约为所述最小节距的四分之一。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第二特征之前，去除所述第一特征。

8.一种存储器阵列的布线图案，包括：

形成具有第一特征、第一侧壁间隔体、第二特征、第二侧壁间隔体以及导体特征的结构，所述第一特征由设置在基板上方的第一模板层形成，所述第一侧壁间隔体形成为邻近所述第一特征，所述第二特征通过采用所述第一侧壁间隔体作为硬掩模而形成在第二模板层中，所述第二侧壁间隔体形成为邻近所述第二特征，所述导体特征通过采用所述第二间隔体作为硬掩模而由导体层形成。

9.根据权利要求8所述的布线图案，其中所述第一特征采用具有最小节距能力的光刻设备形成，并且其中采用所述光刻设备的所述最小节距能力，所述第一特征形成为具有最小节距。

10.根据权利要求9所述的布线图案，其中所述第一侧壁间隔体的节距小于所述最小节距。

11.根据权利要求9所述的布线图案，其中所述第一侧壁间隔体的节距约为所述最小节距的一半。

12.根据权利要求8所述的布线图案，其中所述第二侧壁间隔体的节距小于所述第一侧壁间隔体的节距。

13.根据权利要求9所述的布线图案，其中所述第二侧壁间隔体的节距约为所述最小节距的四分之一。

14.根据权利要求8所述的布线图案，其中所述第一特征和所述第二特征被去除。

15.一种形成存储器的布线图案的方法，包括：

由设置在基板上方的第一模板层形成第一特征；

邻近所述第一特征形成侧壁间隔体；

通过采用所述侧壁间隔体作为硬掩模，在第二模板层中形成第二特征；以及

通过在所述第二特征的侧壁上沉积导电材料形成导体特征。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一特征采用具有最小节距能力的光刻设备形成，并且其中采用所述光刻设备的所述最小节距能力，所述第一特征形成为具有最小节距。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述侧壁间隔体的节距小于所述最小节距。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述侧壁间隔体的节距约为所述最小节距的一半。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述导体特征的节距小于所述侧壁间隔体的节距。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述导体特征的节距约为所述最小节距的四分之一。

21.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在形成所述第二特征之前，去除所述第一特征。

22.一种存储器阵列的布线图案，包括：

形成有第一特征、侧壁间隔体、第二特征以及导体特征的结构，所述第一特征由设置在基板上方的第一模板层形成，所述侧壁间隔体形成为邻近所述第一特征，所述第二特征通过采用所述侧壁间隔体作为硬掩模而形成在第二模板层中，所述导体特征通过在所述第二特征的侧壁上沉积导电材料而形成。