[发明专利]有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201080058117.5 申请日: 2010-10-29
公开(公告)号: CN102714276A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 市川结;平田直毅;河野寿夫;小熊尚实 申请(专利权)人: 大日精化工业株式会社;国立大学法人信州大学
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;C07D471/06;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明为由下述通式(1)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物形成的有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管。其中,通式(1)中,R1表示碳原子数为1~20的可以分支的烷基,R2表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基,R3表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基,X1以及X2表示选自氧原子、硫原子以及硒原子的杂原子,Y表示卤素原子或氰基,m表示0~4的数,且n表示0~2的数,另外,R1以及R2的烷基可以被氟取代。通式(1)
搜索关键词: 有机 半导体材料 有机半导体 薄膜 以及 薄膜晶体管
【主权项】:
1.一种有机半导体材料,其特征在于,由下述通式(1)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物形成,通式(1)其中,通式(1)中,R1表示碳原子数为1~20的可以分支的烷基,R2表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基,R3表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基,X1以及X2表示选自氧原子、硫原子以及硒原子的杂原子,Y表示卤素原子或氰基,m表示0~4的数,且n表示0~2的数,另外,R1以及R2的烷基可以被氟取代。
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