[发明专利]有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种有机半导体材料，其特征在于，由下述通式(1)表示的苝四甲酰二亚胺衍生物形成，

通式(1)

其中，通式(1)中，R₁表示碳原子数为1~20的可以分支的烷基，R₂表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基，R₃表示碳原子数为2~6的可以分支的烷基，X₁以及X₂表示选自氧原子、硫原子以及硒原子的杂原子，Y表示卤素原子或氰基，m表示0~4的数，且n表示0~2的数，另外，R₁以及R₂的烷基可以被氟取代。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中，所述通式(1)中，R₁表示碳原子数为1~20的直链烷基，R₂表示碳原子数为2~6的直链烷基，R₃表示碳原子数为2~6的直链烷基，X₁以及X₂表示氧原子，Y表示卤素原子或氰基，m表示0~4的数，且n表示0~2的数。

3.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中，所述通式(1)表示的衍生物为下述通式(2)表示的N,N'-双(3-(R₁氧基)-乙基)-3,4:9,10-苝四甲酰二亚胺衍生物，

通式(2)

其中，通式(2)中的R₁表示碳原子数为1~20的直链烷基或支链烷基。

4.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中，所述通式(1)表示的衍生物为下述通式(3)表示的N,N'-双(3-(R₁氧基)-正丙基)-3,4:9,10-苝四甲酰二亚胺衍生物，

其中，通式(3)中的R₁表示碳原子数为1~20的直链烷基或支链烷基。

5.根据权利要求4所述的有机半导体材料，其中，所述通式(3)表示的衍生物为下述式(4)表示的N,N'-双(3-(正十二烷氧基)-正丙基)-3,4:9,10-苝四甲酰二亚胺，

6.一种有机半导体薄膜，其特征在于，由权利要求1～5中任一项所述的有机半导体材料形成。

7.一种有机半导体薄膜，其特征在于，由权利要求1～5中任一项所述的有机半导体材料形成，并且在100℃至250℃的温度区域向液晶状态相变。

8.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，其形成在基板上，具有栅电极、栅绝缘层、有机半导体薄膜、源电极以及漏电极，所述有机半导体薄膜由权利要求6所述的有机半导体薄膜形成。

9.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，其形成在基板上，具有栅电极、栅绝缘层、有机半导体薄膜、源电极以及漏电极，所述有机半导体薄膜由权利要求7所述的有机半导体薄膜形成，并且该有机半导体薄膜在100℃至250℃之间的温度下被热处理。

10.根据权利要求8或9所述的有机薄膜晶体管，其中，电子迁移率为0.01~5.0cm²/Vs。