[发明专利]作为NK-3受体拮抗剂的吡咯烷衍生物有效

专利信息
申请号: 201080057625.1 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102656157A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 亨纳·努斯特;安德烈亚斯·克布雷特;马蒂亚斯·内特科文;哈萨内·拉特尼;克劳斯·里默尔;沃特·维凡 申请(专利权)人: 霍夫曼-拉罗奇有限公司
主分类号: C07D401/06 分类号: C07D401/06;C07D401/14;C07D403/14;C07D405/14;A61P25/28;A61K31/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王旭;贺卫国
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 本申请涉及式(I)的化合物,在式(I)中,R1是氢,卤素,氰基,低级烷基或卤素取代的低级烷基;n是1,2或3,如果n是2或3,则R1可以是不同的;R2是C2-7-烷基或C3-6-环烷基;R3是基团(II),其中X是CH或N;R5是氢,-C(O)-低级烷基,-C(O)O-低级烷基,S(O)2-低级烷基,-C(O)CH2O-低级烷基,-C(O)-CH2-CN,或是-C(O)-环烷基,环烷基或-CH2-环烷基,其中所述环烷基任选被低级烷基,-CH2-O-低级烷基,低级烷氧基,CF3,卤素或氰基取代,或是-C(O)-杂环烷基或杂环烷基,或是-C(O)-杂芳基或是杂芳基或是-C(O)-芳基或芳基,所述杂环烷基,杂芳基或芳基任选被以下基团取代:卤素,低级烷基,=O,低级烷氧基,卤素取代的低级烷基,羟基取代的低级烷基,-C(O)-CH2-N(二-低级烷基),C(O)NH-低级烷基,C(O)NH2,-O-C(O)-低级烷基,C(O)-低级烷基,S(O)2-低级烷基或氰基;R4是芳基,其任选被卤素,羟基,低级烷基,卤素取代的低级烷基,S(O)2-低级烷基,氰基或低级烷氧基取代;或其药物活性盐。已经发现本发明化合物是高潜力的NK-3受体拮抗剂,用于治疗抑郁,疼痛,精神病,帕金森病,精神分裂症,焦虑和注意缺陷多动障碍(ADHD)。
搜索关键词: 作为 nk 受体 拮抗剂 吡咯烷 衍生物
【主权项】:
1.式I的化合物其中R1是氢,卤素,氰基,低级烷基或卤素取代的低级烷基;n是1,2或3,如果n是2或3,则R1可以是不同的;R2是C2-7-烷基或C3-6-环烷基;R3是以下基团其中X是CH或N;R5是氢,-C(O)-低级烷基,-C(O)O-低级烷基,S(O)2-低级烷基,-C(O)CH2O-低级烷基,-C(O)-CH2-CN,或是-C(O)-环烷基,环烷基或-CH2-环烷基,其中所述环烷基任选被低级烷基,-CH2-O-低级烷基,低级烷氧基,CF3,卤素或氰基取代,或是-C(O)-杂环烷基或杂环烷基,或是-C(O)-杂芳基,或是杂芳基,或是-C(O)-芳基或芳基,所述杂环烷基,杂芳基或芳基任选被以下基团取代:卤素,低级烷基,=O,低级烷氧基,卤素取代的低级烷基,羟基取代的低级烷基,-C(O)-CH2-N(二-低级烷基),C(O)NH-低级烷基,C(O)NH2,-O-C(O)-低级烷基,C(O)-低级烷基,S(O)2-低级烷基或氰基;R4是芳基,其任选被卤素,羟基,低级烷基,卤素取代的低级烷基,S(O)2-低级烷基,氰基或低级烷氧基取代;或其药物活性盐。
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