[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080056535.0 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102648517A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | D.帕塔纳雅克;K.奥阳;M.卡瑟姆;K.特里尔;R.卡特拉罗;K-I.陈;C.崔;Q.陈;K.H.鲁伊;R.许;R.王 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置（例如，倒装芯片），包括通过中间层与漏极连接点分开的基底层。穿过中间层的沟槽型馈通元件被用于在操作装置时将漏极接触点与基底层进行电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：导电性基底层；漏极接触点，其中，所述基底层通过中间层与所述漏极接触点分开；以及多个导电性沟槽型馈通元件，所述导电性沟槽型馈通元件被耦接到所述漏极接触点，并穿过所述中间层，其中，所述馈通元件可被操作以用于将所述漏极接触点与所述基底层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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