[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

导电性基底层；

漏极接触点，其中，所述基底层通过中间层与所述漏极接触点分开；以及

多个导电性沟槽型馈通元件，所述导电性沟槽型馈通元件被耦接到所述漏极接触点，并穿过所述中间层，其中，所述馈通元件可被操作以用于将所述漏极接触点与所述基底层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括多个源极接触点，其部分地延伸到、但不是完全穿过所述中间层，其中，所述源极接触点和所述馈通元件包括相同的填充材料。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述填充材料包括钨。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述馈通元件进一步包括保形涂层，其将所述填充材料与所述中间层分开。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述保形涂层包括从以下组中选出的材料，所述组包括：钛和氮化钛。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述保形涂层包括的钛的厚度大约600埃，并且氮化钛的厚度大约200埃。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述装置包括倒装芯片，所述倒装芯片具有在其表面上形成的多个焊料球，其中，所述漏极接触点被耦接到所述焊料球中的至少一个上。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述馈通元件被排列在所述装置的漏极区中，其中，所述馈通元件向所述装置的源极区聚集。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述馈通元件在其最浅点的深度为大致为8.7微米、所述馈通元件的宽度为大致为0.9微米，且所述馈通元件的节距大致为1.7微米。

10.一种倒装芯片半导体装置，包括：

多个焊料球，包括被耦接到所述装置的第一表面上的漏极接触点的焊料球；

在所述装置的第二表面上的金属层，所述第二表面与所述第一表面相反；

基底层，与所述金属层相邻，其中，所述基底层通过中间层与所述漏极接触点分开；以及

被填充导电性材料并且被耦接到所述漏极接触点的多个沟槽型元件，其中，所述沟槽型元件穿过所述中间层并进入所述基底层中，其中，在操作中所述装置包括从源极接触点穿过所述中间层、所述基底层，和所述沟槽型元件到所述漏极接触点的电路。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中所述源极接触点和所述沟槽型元件包括相同的填充材料。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述填充材料包括钨。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述沟槽型元件进一步包括保形涂层，其将所述填充材料与所述中间层分开。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，所述保形涂层包括从以下组中选出的材料，所述组包括：钛和氮化钛。

15.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述沟槽型元件向所述源极接触点聚集。

16.一种制作倒装芯片的方法，所述方法包括：

在结构的外延层的表面上形成第一多个沟槽，所述第一多个沟槽部分延伸到、但不完全穿过所述外延层；

在所述表面上形成第二多个沟槽，所述第二多个沟槽完全延伸穿过所述外延层并进入与所述外延层的第二表面邻接的基底层；以及

在相同的处理步骤中，将相同的导电性填充材料沉积到所述第一多个沟槽和所述第二多个沟槽中，其中，所述第一多个沟槽随后被电耦接到被用作源极接触点的第一焊料球，并且其中，所述第二多个沟槽随后被电耦接到被用作漏极接触点的第二焊料球。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述填充材料包括钨。

18.如权利要求16所述的方法，进一步包括：在相同的处理步骤中，沉积保形涂层，该保形涂层为所述第一多个沟槽加衬层并且为所述第二多个沟槽加衬层。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述保形涂层包括从以下组中选出的金属，该组包括：钛和氮化钛。

20.如权利要求16所述的方法，其中，所述第二多个沟槽被排列在所述装置的漏极区中，其中，所述第二多个沟槽向所述倒装芯片的源极区聚集。